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9月9日，工信部发布《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，国产KrF、ArF光刻机入选该目录名单。在海外不断扩大对我光刻设备出口管制的背景下，两台国产光刻机推出具有重要意义。目录中KrF光刻机针对12英寸晶圆设计，工作波长248nm，分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm；ArF光刻机针对12英寸晶圆设计，工作波长193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。不过，上述机器仍是干式ArF光刻机，性能指标与ASML公司在2015年二季度出货的TWINSCAN XT 1460K型号光刻机性能相当，与国外最新产品还有差距，其分辨率、套刻精度仍不能满足先进工艺的要求。一般来说，10nm 工艺要求套刻精度≤3nm，7nm工艺要求≤2nm；同时，先进工艺要求分辨率≤38nm，而该机器的分辨率≤65nm。虽然该ArF光刻机可以通过多次曝光实现55nm-65nm制程，但其套刻精度不足会导致良率难以控制，并严重影响生产效率。
海外三大厂商光刻机产品型号
参考资料：
