美国升级对华半导体出口管制

近年来，美国及其盟国不断利用技术优势对我国芯片产业实施限制、打压，对芯片产业管控也从先进工艺、高端芯片逐步延伸至集成电路装备零部件环节。

2022年10月7日，美国出台出口管制条例（EAR）修订，新政策限制对华出口14nm及以下先进制程、17nm及以下DRAM、128层及以上NAND等相关设备和零部件；同时，加大外国直接产品、最终用途和最终用户管制规则力度，以及对“美国人”的限制。

2023年10月7日，美国发布进一步对出口管制规则做出修订，限制向中国大陆地区个别先进芯片制造晶圆厂提供特定型号的中高端（mid critical）浸润式DUV光刻机。

2024年12月2日，美国3年内第三次更新出口管制条例（EAR），进一步加强对中国半导体行业出口管制。新条例将140个中国半导体行业相关实体加入“实体清单”，包括超过100家芯片设备零部件公司，基本囊括了国内装备零部件领域主要企业，禁止美国企业在未获得许可情况证情况下向目标公司出口特定的技术或产品；进一步扩大对先进工艺节点集成电路设备的管控，包括蚀刻、沉积、光刻、离子注入、退火、量检测、清洗设备等几乎所有先进工艺设备均落入管控范围；新增对HBM产品及技术、设备的管控；制定两项新的外国直接产品（FDP）规则（包括半导体制造设备FDP、针对脚注5实体的FDP）和相应的最低限度规定，加强对美国之外地区生产的设备和产品的长臂管辖。同时，美国也在加强与盟国合作，推动对高科技产业的单边管制到多边协同共管。

2023年1月，美国、荷兰和日本就共同限制向中国出口半导体设备达成共识。2023年6月，荷兰颁布了有关半导体设备出口管制的新规定，要求ASML出口最先进浸润式DUV光刻机（即TWINSCAN NXT：2000i及后续浸润式光刻系统）需向荷兰政府申请出口许可证，出口许可证采取逐案评估方式发放。2023年7月，日本政府宣布对光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗等23种先进半导体制造设备、零部件实施出口管制。

参考文献：

1.https://public-inspection.federalregister.gov/2024-28270.pdf，访问于20241206